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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1049CV33-12VC
CY7C1049CV33-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥29.26132

0

5-7 工作日

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合计: ¥117.04526

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CY7C1514KV18-333BZXC
CY7C1514KV18-333BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,485.51879

670

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,485.51879

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S25FS512SDSBHV210
S25FS512SDSBHV210
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥71.84957

3799

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.84957

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S26KS512SDABHN030
S26KS512SDABHN030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥134.28337

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥134.28337

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CY62148DV30LL-70SXI
CY62148DV30LL-70SXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥18.39697

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥349.54235

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CY62147DV30LL-55ZSXI
CY62147DV30LL-55ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥34.25892

3153

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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S29GL256S90FHI010
S29GL256S90FHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥55.26333

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.26333

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CY7C1041G30-10ZSXE
CY7C1041G30-10ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥98.30538

688

2-3 工作日

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合计: ¥98.30538

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CY621282BNLL-70SXEKJ
CY621282BNLL-70SXEKJ
ASYNC RAM

¥27.59781

750

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,766.25984

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CY62148DV30L-55ZSXI
CY62148DV30L-55ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥34.25892

727

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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CY7C1012AV33-10BGI
CY7C1012AV33-10BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 12Mb (512K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥244.30302

0

5-7 工作日

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合计: ¥244.30302

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S25FL064P0XNFV001
S25FL064P0XNFV001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥19.33854

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,817.82304

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S25FL512SAGMFIG13
S25FL512SAGMFIG13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥68.59026

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.59026

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CY7C1514KV18-250BZXC
CY7C1514KV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥341.64759

12

5-7 工作日

- +

合计: ¥341.64759

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FM25W256-G
FM25W256-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥85.71506

384

2-3 工作日

- +

合计: ¥85.71506

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S25FL164K0XNFIQ11Z
S25FL164K0XNFIQ11Z
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥5.86675

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥674.67614

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CY7C1412AV18-200BZXC
CY7C1412AV18-200BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥343.74803

35

5-7 工作日

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合计: ¥343.74803

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S25FL256LAGMFM000
S25FL256LAGMFM000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥76.33012

1709

2-3 工作日

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合计: ¥76.33012

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S25FL256LAGNFM010
S25FL256LAGNFM010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥61.49222

12346

5-7 工作日

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合计: ¥61.49222

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CY14B116N-BZ25XI
CY14B116N-BZ25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥202.65634

43

5-7 工作日

- +

合计: ¥202.65634

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