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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥94.37499

338

5-7 工作日

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合计: ¥94.37499

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CY62138FV30LL-45ZAXI
CY62138FV30LL-45ZAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥23.74512

311

2-3 工作日

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合计: ¥23.74512

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CY62128EV30LL-45ZXI
CY62128EV30LL-45ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥7.30736

1355

2-3 工作日

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合计: ¥7.30736

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S25HL02GTDPBHV050
S25HL02GTDPBHV050
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥232.20737

0

5-7 工作日

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合计: ¥232.20737

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CY7C1320CV18-250BZXC
CY7C1320CV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥268.20459

87

5-7 工作日

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合计: ¥268.20459

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CY27C010-45JC
CY27C010-45JC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(13.97x11.43)

¥18.39697

0

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合计: ¥1,416.56638

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S34ML02G200BHI000
S34ML02G200BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥17.35254

8228

2-3 工作日

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合计: ¥1,683.19638

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CY27C256T-55ZI
CY27C256T-55ZI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥33.82434

111

5-7 工作日

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合计: ¥2,198.58230

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CY7C1312KV18-300BZXI
CY7C1312KV18-300BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥85.03165

26

5-7 工作日

- +

合计: ¥85.03165

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CY27C256-200WC
CY27C256-200WC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CERDIP

¥18.39697

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.39697

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CY7C1019DV33-10ZSXIT
CY7C1019DV33-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥18.83154

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,826.65938

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CY7C1312KV18-300BZXC
CY7C1312KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥85.24893

76

5-7 工作日

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合计: ¥85.24893

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S80KS2563GABHV020
S80KS2563GABHV020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥94.37499

338

5-7 工作日

- +

合计: ¥94.37499

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CY27C256A-45WC
CY27C256A-45WC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CERDIP

¥18.39697

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥901.45133

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PALC22V10-30DM
PALC22V10-30DM
ELECTRICALLY ERASABLE PAL DEVIC

¥234.16296

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合计: ¥2,341.62957

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S25FL128SAGBHIZ00
S25FL128SAGBHIZ00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥28.89917

25296

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.89917

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CY7C107D-10VXI
CY7C107D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (1M x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥87.63909

28

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.63909

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S29GL128P11FFIV20
S29GL128P11FFIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥20.09253

0

2-3 工作日

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合计: ¥20.09253

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CY7C1512KV18-333BZXC
CY7C1512KV18-333BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,485.51879

462

5-7 工作日

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合计: ¥1,485.51879

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CY7C1049BNV33L-15VXC
CY7C1049BNV33L-15VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥34.04163

380

5-7 工作日

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合计: ¥2,178.66432

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