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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S80KS2562GABHI020
S80KS2562GABHI020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥87.42180

337

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.42180

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CY7C263-55JI
CY7C263-55JI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥87.71152

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥263.13456

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CY7C0837AV-167BBC
CY7C0837AV-167BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA(13x13)

¥782.16077

406

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,346.48231

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CY7C09359AV-9AC
CY7C09359AV-9AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (4K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 67 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥88.00124

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.00124

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CY7C1412KV18-250BZXC
CY7C1412KV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥414.07659

553

5-7 工作日

- +

合计: ¥414.07659

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CY7C1011CV33-12BVI
CY7C1011CV33-12BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥33.60706

2460

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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CY7C243-25WC
CY7C243-25WC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥88.79795

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,687.16113

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CY7C1399B-10VC
CY7C1399B-10VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.50460

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.02762

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S80KS5122GABHM020
S80KS5122GABHM020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥196.64474

444

5-7 工作日

- +

合计: ¥196.64474

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CY62158EV30LL-45ZSXI
CY62158EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥67.64869

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.64869

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CY7C1325B-117BGC
CY7C1325B-117BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥33.60706

960

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.45864

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S25FL256SAGMFV010
S25FL256SAGMFV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥41.06724

2365

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.06724

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S29JL032J70TFI410
S29JL032J70TFI410
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥33.75191

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.75191

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S25FL064P0XMFA000
S25FL064P0XMFA000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥27.52302

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.52302

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S25FL256SDSMFV010
S25FL256SDSMFV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥41.06724

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.06724

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S25FL512SAGMFIR11
S25FL512SAGMFIR11
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥68.59026

1978

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.59026

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CY14V101NA-BA45XI
CY14V101NA-BA45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥55.77033

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.77033

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S28HL01GTFPBHB030
S28HL01GTFPBHB030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥201.35262

0

5-7 工作日

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合计: ¥201.35262

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S25FL512SAGBHIA10
S25FL512SAGBHIA10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥68.59026

1641

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.59026

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CY7C1347B-100BGC
CY7C1347B-100BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥33.82434

2269

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.58230

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