分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、49W(Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.44858 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.44858 | 7254 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.44858 | 7203 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 5664 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.44858 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥1.44858 | 4851 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tj) 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.44858 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 2900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.31858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.23017 | 6100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.90495 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 110伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27.6A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 4711 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.88401 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.47086 | 109200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥181.28149 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NTND31211PZ - DUAL P-CHANNEL SMA | ¥0.50700 | 623869 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | ¥3.11445 | 1838 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NTND31200PZ - DUAL, P-CHANNELL S | ¥0.50700 | 320000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 190毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 1792 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NTND31215 - COMPLEMENTARY, SMALL | ¥0.50700 | 40000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.9A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、33W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 12009 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.26256 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.50700 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.35936 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 2596 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 |