分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 655441 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.95404 | 添加到BOM 立即询价 | ||
5HP01 - 50V, 70MA, P-CHANNEL MOS | ¥0.65186 | 273000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 8424 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SINGLE N-CHANNEL SMALL SIGNAL MO | ¥0.65186 | 269117 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,094.42939 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA | ¥0.65186 | 264000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 570mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 35468 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.60110 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、42A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 2835 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.94924 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MCH6601 - P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.65186 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,249.57231 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 1549 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.62230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta)、12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.15669 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,429.58882 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 27922 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.23934 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 990824 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 157W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 2481 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 77220 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,130.13689 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 2041 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN | ¥0.72429 | 39000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 28136 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥3.47659 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta)、12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,283.68637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥3.47659 | 1980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 |