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FDMA530PZ是MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-WDFN暴露焊盘，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的6-MicroFET（2x2），配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为900mW，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1070pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@6.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，Pd功耗为2.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为31纳秒，上升时间为21纳秒，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为6.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为35毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为43纳秒，典型的接通延迟时间为6ns，正向跨导最小值为17S，信道模式为增强。
FDMA6676PZ带用户指南，包括-2.6 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.002116 oz，典型开启延迟时间设计为8.8 ns，以及87 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为19 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhms，Qg栅极电荷为33 nC，Pd功耗为2.4 W，封装为卷轴式，封装盒为microFET-6，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-11 A，正向跨导最小值为38 S，下降时间为72 ns，配置为单四漏极，通道模式为增强型。
FDMA6023PZT是MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET，包括3.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在17nC@4.5V下工作，除了885pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-UDFN裸露衬垫封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为700mW，最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@3.6A，4.5V，系列为PowerTrenchR，供应商设备包为6-MicroFET（2x2），Vgs th最大Id为1.5V@250μA。
