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FDMS2D4N03S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.58085
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.58
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 163A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.8毫欧姆@28A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 88 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6540 pF @ 15 V
  • 最大功耗 75W (Tc)
  • 供应商设备包装 8-PQFN (5x6), Power56
  • 包装/外壳 8-PowerSMD, Flat Leads

FDMS2D4N03S 产品详情

FDMS2D4N03S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDMS2D4N03S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMS2D4N03S价格参考¥5.580850,你可以下载 FDMS2D4N03S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMS2D4N03S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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