分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.30372 | 2350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.30372 | 2302 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.30372 | 2150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,803.00230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.30372 | 1105 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,440.61281 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、10.9W(Tc) 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.69388 | 3482 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.69388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: DFN2020B-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 1035562 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.37615 | 855000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET (COMPOUND TYPE) | ¥1.37615 | 182000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NFET DPAK 30V 41A 8MO | ¥1.37615 | 157500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.37615 | 137500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tc) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 111795 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL MOSFET | ¥1.37615 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.37615 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 23244 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 49W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 19524 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 18332 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 15855 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、24W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 13940 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 6861 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 |