9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT50SK120TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50SK120TG参考价格$75.51429。微芯片技术APTGT50SK120TG封装/规格：IGBT模块1200V 75A 277W SP4。您可以下载APTGT50SK120TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT50H60RT3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供单相桥式整流器等输入功能，配置设计用于全桥逆变器，以及176W最大功率，该器件还可以用作80A集流器Ic最大值。此外，电压集流器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集流器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50H60T1G带用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于1.9V@15V，50A Vce on Max Vge Ic，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP1，提供176W等功率最大功能，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为80A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT50H60T2G带电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值显示在80A中使用的数据表注释中，该80A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP2封装外壳，该器件的最大功率为176W，供应商器件封装为SP2，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT50H60T3G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3，包括Yes NTC热敏电阻，它们设计为与沟槽式场阻IGBT类型一起工作，数据表注释中显示了用于标准的输入，该标准提供了SP3等封装外壳功能，供应商设备包设计为在SP3中工作，以及全桥逆变器配置，该设备也可以用作底盘安装型。此外，集电器Ic最大值为80A，该器件提供600V电压集电器-发射器击穿最大值，该器件具有3.15nF@25V的输入电容Cies Vce，集电器截止最大值为250μa，功率最大值为176W，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A。
