9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100DA60T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100DA60T1G参考价格为45.72000美元。Microchip Technology APTGT100DA60T1G封装/规格：IGBT模块600V 150A 340W SP1。您可以下载APTGT100DA60T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT100DA120TG是IGBT 1200V 140A 480W SP4，包括SP4封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP4中使用的供应商设备包，该设备提供标准、配置等输入功能，设计为单台工作，以及480W最大功率，该设备也可以用作140A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100DA170TG带有用户指南，包括1700V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、100A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供功率最大值功能，如560W，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT100DA170D1G是IGBT 1700V 200A 695W D1，包括单一配置，它们设计为以3mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如200A中使用的数据表注释所示，该200A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及8.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为695W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
