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IXFH6N100是MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为180W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为2600pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为130nC@10V，Pd功耗为180 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为40ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型导通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为6S，并且信道模式是增强。
IXFH69N30P是MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFH69N30，上升时间为25 ns，漏极电阻Rds为49 mOhms，Qg栅极电荷为156 nC，Pd功耗为500 W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为69 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为27 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH66N20Q是MOSFET 66 Amps 200V 0.04 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于14 ns，提供Id连续漏极电流特性，如66 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，漏极-源极电阻Rds为40 mOhms，上升时间为18 ns，系列为IXFH66N20，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFH67N10是MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD，包括管封装，它们设计为与TO-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFH67N0系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有80ns的典型关断延迟时间，Id连续漏极电流为67A，下降时间为60ns，上升时间为60s，Pd功耗为300W，Rds导通漏极-源极电阻为25mOhms，Vgs栅极-源极电压为20V，典型开启延迟时间为20ns，Vds漏极-源极击穿电压为100V，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
