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IXFH76N07-12是MOSFET 70V 76A，包括IXFH76NO7系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为76A，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Rds导通漏极-漏极电阻为12mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为40S，沟道模式为增强。
IXFH7N80是MOSFET 7安培800V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH7N80系列，上升时间为40纳秒，Rds漏极源极电阻为1.4欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH7N90Q是MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于13 ns，提供Id连续漏极电流特性，如7 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，上升时间为15 ns，系列为IXFH7N90，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
