9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH70N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH70N15参考价格9.99美元。IXYS IXFH70N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 70A TO247AD。您可以下载IXFH70N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH6N120P是MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A，包括IXFH6N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式特征，商品名设计用于POLAR HIPERFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.75欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为92nC，正向跨导最小值为3S，沟道模式为增强。
IXFH6N90是MOSFET 900V 6A，包括900V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.229281盎司的单位重量工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。商品名设计用于HyperFET，以及Si技术。该器件也可以用作IXFH6N90系列。此外，Rds On Drain Source电阻为1.8欧姆，该器件采用管封装，该器件具有TO-247AD-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为6 a。
IXFH70N10，电路图由IXYS制造。IXFH70N10采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
