9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN24N90Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN24N90Q参考价格为0.63美元。IXYS IXFN24N90Q封装/规格：MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B。您可以下载IXFN24N90Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN24N100是MOSFET 1KV 24A，包括IXFN24N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为568W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为390mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
IXFN240N15T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在150 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如48 ns，典型的关闭延迟时间设计为77 ns，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作HiPerFET商标。此外，该技术为Si，器件为IXFN240N15系列，器件的上升时间为125 ns，漏极-源极电阻Rds为5.2 mOhms，Qg栅极电荷为460 nC，Pd功耗为830 W，封装为管，封装盒为SOT-227-4，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为240 A，正向跨导最小值为125 S，下降时间为145 ns，信道模式为增强型。
IXFN24N100F是由IXYS制造的N通道1000V 24A（Tc）600W（Tc）底盘安装SOT-227B。IXFN24N100F在模块包中提供，是模块的一部分，并支持N通道1000V 24A（Tc）600W（Tc）底盘安装SOT-227B。
