9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN20N120，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN20N120参考价格为7.72美元。IXYS IXFN20N120封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B。您可以下载IXFN20N120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN200N07是MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为SOT-227B，配置为单双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为520W，晶体管类型为1个N通道，漏极至源极电压Vdss为70V，输入电容Cis-Vds为9000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200A，最大Id Vgs的Rds为6 mOhm@500mA，10V，Vgs最大Id为4V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为480nC@10V，Pd功耗为520 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为60ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为200A，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型导通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为80S，并且信道模式是增强。
IXFN200N10P是MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B，包括5V@8mA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为30 ns，以及150 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为SOT-227B，系列为Polar？，上升时间为35ns，Rds On Max Id Vgs为7.5mOhm@500mA，10V，Rds On Drain Source Resistance为7.5mohms，功率最大值为680W，Pd功耗为680W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，miniBLOC，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为底盘安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，输入电容Cis-Vds为7600pF@25V，Id连续漏极电流为200 A，栅极电荷Qg-Vgs为235nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为90 ns，漏极-源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为200A，配置为单双源极，通道模式为增强型。
IXFN200N06，电路图由IXYS制造。IXFN200N06在模块包中提供，是模块的一部分。
