9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN120N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN120N25参考价格1.369934美元。IXYS IXFN120N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B。您可以下载IXFN120N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN106N20是MOSFET 200V 106A，包括IXFN106N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为520 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为80 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为106A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为60S，沟道模式为增强。
IXFN110N60P3是MOSFET 600V 90A 0.056欧姆PolarP3功率MOSFET，包括5 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，技术为Si，器件为IXFN110N60系列，器件的上升时间为19 ns，漏极-源极电阻Rds为56 mOhms，Qg栅极电荷为245 nC，Pd功耗为1.5 kW，封装为管，封装盒为SOT-227-4，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，并且Id连续漏极电流为90A，并且正向跨导Min为105S 65S，并且下降时间为11ns，并且配置为Single。
IXFN120N10，电路图由IXYS制造。IXFN120N10在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN120N20，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN120N20在模块封装中提供，是模块的一部分，N沟道200V 120A（Tc）600W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans-MOSFET N-CH Si 200V 120V 4引脚SOT-227A，MOSFET 200V 120B。
