9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFL70N60Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFL70N60Q2参考价格为3.056美元。IXYS IXFL70N60Q2封装/规格：MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264。您可以下载IXFL70N60Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFL60N80P是MOSFET 42安培800V 0.15 Rds，包括IXFL60N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV ISOPLUS264 HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为250nC，正向跨导最小值为35S，并且信道模式是增强。
IXFL44N80是MOSFET 44安培800V 0.165W Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.264555盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFL44N80系列，上升时间为48纳秒，漏极上的Rds源极电阻为165毫欧，Pd功耗为550瓦，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为24 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFL55N50是MOSFET 55安培500V 0.08W Rds，包括55 A Id连续漏极电流，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-264-3，提供管、Pd功率耗散设计为80 mW工作，以及80 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXFL55N50系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有0.264555盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为500 V。
