9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFL44N60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFL44N60参考价格为21.482美元。IXYS IXFL44N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264。您可以下载IXFL44N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFL40N110P是MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds，包括IXFL40N1 10系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.264555 oz的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为357W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为54 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为1100V，Rds导通漏极-电源电阻为280mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为53ns，沟道模式为增强。
IXFL44N100P是MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于7500 g，提供典型的开启延迟时间功能，如60 ns，典型的关闭延迟时间设计为90 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFL44N100系列，上升时间为68纳秒，Rds漏极源极电阻为240毫欧，Pd功耗为357 W，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为22 A，下降时间为54 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFL38N100Q2是由IXYS制造的“MOSFET Q2级HiperFET 1000”。IXFL38N1 00Q2以ISOPLUS 264封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET Q1级Hiper 1000，N通道1000V 29A（Tc）380W（Tc）通孔ISOPLUS264”？，Trans MOSFET N-CH 1KV 29A 3引脚（3+Tab）ISOPLUS 264，MOSFET Q2级HiperFET 1000，22A。
