9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFL39N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFL39N90参考价格为4.066美元。IXYS IXFL39N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264。您可以下载IXFL39N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFL34N100是MOSFET 34 Amps 1000V 0.28W Rds，包括IXFL34N1 00系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为550 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-电源电阻为300mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为41ns，沟道模式为增强。
IXFL32N120P是MOSFET 32安培1200V，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如70 ns，典型的关闭延迟时间设计为88 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFL32N120系列，上升时间为62ns，漏极电阻Rds为340mOhms，Pd功耗为520W，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为51 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFL38N100P是MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于40 ns，提供Id连续漏极电流功能，如29 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为520 W，Rds漏极-源极电阻为230 mOhms，上升时间为55 ns，系列为IXFL38N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为71ns，典型接通延迟时间为74ns，单位重量为0.264555oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFL38N100Q2是由IXYS制造的“MOSFET Q2级HiperFET 1000”。IXFL38N1 00Q2以ISOPLUS 264封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET Q1级Hiper 1000，N通道1000V 29A（Tc）380W（Tc）通孔ISOPLUS264”？，Trans MOSFET N-CH 1KV 29A 3引脚（3+Tab）ISOPLUS 264，MOSFET Q2级HiperFET 1000，22A。
