9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK88N20Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK88N20Q参考价格为3.08美元。IXYS IXFK88N20Q封装/规格：MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA。您可以下载IXFK88N20Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK80N60P3是MOSFET N-CH 600V 80A TO264，包括HiPerFET？，Polar3？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.264555盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商设备包为TO-264AA（IXFK），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1300W，晶体管类型为1个N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为13100pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为80A（Tc），最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@500mA，10V，Vgs的最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为190nC@10V，Pd功耗为1.3 kW，下降时间为8 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为70m欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为190nC，正向跨导最小值为90S 55S。
带有用户指南的IXFK80N65X2，包括2.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供0.264555 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为32 ns，以及70 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HiPerFET，该器件采用Si技术，该器件具有24 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为38 mOhms，Qg栅极电荷为140 nC，Pd功耗为890W，封装为管，封装盒为TO-264-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为80A，正向跨导最小值为33S，下降时间为11ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK80N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A，包括单一配置，它们设计为在80A Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1个通道，封装盒设计用于to-264-3，以及管封装，该装置也可以用作1.25kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为200nC，器件提供65mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有250ns的上升时间，系列为IXFK80N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.264555 oz，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
