9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK44N55Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK44N55Q参考价格为10.816美元。IXYS IXFK44N55Q封装/规格：MOSFET N-CH 550V 44A TO264AA。您可以下载IXFK44N55Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK44N50P是MOSFET N-CH 500V 44A TO-264，包括IXFK44N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为650 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
IXFK44N50Q是MOSFET 44安培500V 0.12 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如33 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK44N50系列，上升时间为22 ns，漏极电阻Rds为120 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK44N50是由IXYS制造的MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA。IXFK44N50在TO264封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA、N沟道500V 44A（Tc）500W（Tc）通孔TO-264AB（IXFK）、Trans MOSFET N-CH500V 44A 3引脚（3+Tab）TO-264AC。
IXFK44N50F，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFK44N50F采用TO-3PL封装，是IC芯片的一部分，N沟道500V 44A（Tc）500W（Tc）通孔TO-264（IXFK），Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3引脚（3+Tab）TO-264AA。
