9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH40N50Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH40N50Q2参考价格为2.868美元。IXYS IXFH40N50Q2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD。您可以下载IXFH40N50Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH40N30Q是MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为300V，输入电容Cis-Vds为3100pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为80mOhm@500mA，10V，Vgs最大Id为4V@4mA，栅极电荷Qg Vgs为140nC@10V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为30S，并且信道模式是增强。
IXFH40N50Q是MOSFET 500V 40A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为56 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH40N50系列，上升时间为20ns，漏极源极电阻Rds为140mOhms，Pd功耗为500W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为40 A，正向跨导最小值为35 S，下降时间为14 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH40N30S，电路图由IXYS制造。IXFH40N30S采用TO封装，是IC芯片的一部分。
