9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFA3N80，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFA3N80参考价格为10.58226美元。IXYS IXFA3N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263。您可以下载IXFA3N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFA34N65X2带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.068654盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供HiPerFET等商标功能，封装外壳设计用于to-263-3，以及Si技术，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为540 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为34 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds漏极-源极电阻为105mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为56nC，正向跨导Min为14S，沟道模式为增强。
IXFA3N120是MOSFET 3安培1200V 4.5 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFA3N120系列，上升时间为15ns，漏极电阻Rds为4.5欧姆，Pd功耗为200W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFA36N30P3带有电路图，包括Si技术，它们设计为使用HyperFET Polar3商品名运行。
