9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX25N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX25N90参考价格为9.61美元。IXYS IXFX25N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3。您可以下载IXFX25N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX24N90Q是MOSFET 24安培900V 0.45 Rds，包括IXFX24N90系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-电源电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IXFX24N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFX24N100，器件的上升时间为300纳秒，器件的漏极-源极电阻为440 mOhms，Qg栅极电荷为140 nC，Pd功耗为1 kW，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为24 a，并且配置是单一的。
IXFX250N10P是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括250A Id连续漏极电流，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、Rds漏极源电阻等封装特性，设计工作在6.5 mOhms，以及IXFX250N0系列，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为HyperFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100 V。
