9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN50N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN50N50参考价格为2.324美元。IXYS IXFN50N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B。您可以下载IXFN50N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN48N60P是MOSFET 600V 48A，包括IXFN48N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为53S，沟道模式为增强。
IXFN50N25，带有IXYS制造的用户指南。IXFN50N25在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN50N49，电路图由IXYS制造。IXFN50N49在模块包中提供，是模块的一部分。
