9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX66N50Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX66N50Q2参考价格为2.382美元。IXYS IXFX66N50Q2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3。您可以下载IXFX66N50Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX64N60P是MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247，包括IXFX64N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.257500盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1040 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为64A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为96mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型接通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为63S，沟道模式为增强型。
IXFX64N60P3是MOSFET 600V 64A 0.095欧姆PolarP3功率MOSFET，包括5 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.056438盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，该技术为Si，器件为IXFX64N60系列，器件的上升时间为17ns，漏极-源极电阻Rds为95mOhms，Qg栅极电荷为145nC，Pd功耗为1.13kW，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为64A，并且正向跨导Min为60S 36S，并且下降时间为11ns，并且配置为Single。
IXFX64N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A，包括单一配置，它们设计用于64 a Id连续漏极电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1通道，封装盒设计用于to-247-3，以及管封装，该装置也可以用作1.25kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为190 nC，器件的漏极-源极电阻为95 mOhms Rds，器件的上升时间为300 ns，系列为IXFX64N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFX64N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供配置功能，如单，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作IXFX64N50系列。此外，商品名为HyperFET，该器件提供85 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有64 a的Id连续漏极电流，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30 V，上升时间为250 ns，Qg栅极电荷为145 nC，晶体管类型为1 N沟道，Pd功耗为1 kW，通道数为1通道，单位重量为0.056438盎司。
