9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX26N60Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX26N60Q参考价格为7.722美元。IXYS IXFX26N60Q封装/规格：MOSFET N-CH 600V 26A PLUS247-3。您可以下载IXFX26N60Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFX26N120P是MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247，包括IXFX26N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为58 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为56ns，Qg栅极电荷为255nC，正向跨导Min为13S，并且信道模式是增强。
IXFX26N100P是MOSFET 26安培1000V，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为72 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX26N100系列，上升时间为45 ns，漏极电阻Rds为390 mOhms，Pd功耗为780 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为50 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX25N90是MOSFET 25安培900V 0.33 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于24 ns，提供Id连续漏电流功能，例如25 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为560W，漏极电阻Rds为330mOhms，上升时间为35ns，系列为IXFX25N90，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为60ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
