9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX12N90Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX12N90Q参考价格为1.564美元。IXYS IXFX12N90Q封装/规格：MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3。您可以下载IXFX12N90Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFX120N65X2，带引脚细节，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有1个通道数，供应商设备包为PLUS247-3，且配置为单，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为1250W，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为15500pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc），Rds On Max Id Vgs为24mOhm@60A，10V，Vgs th Max Id为5.5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为225nC@110V，Pd功耗为1.25kW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12ns，上升时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为64ns，Qg栅极电荷为225nC，正向跨导Min为46S，沟道模式为增强。
IXFX120N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET，带快速二极管，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为26 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXFX120N30，上升时间为13ns，漏极-源极电阻Rds为27mOhm，Qg栅极电荷为150nC，Pd功耗为1.13kW，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为120 A，正向跨导最小值为54 S，下降时间为11 ns，配置为单双漏极，通道模式为增强型。
IXFX120N25P是MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供正向跨导最小特性，如45 S，Id连续漏极电流设计为在120 a下工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为700 W，Qg栅极电荷为185 nC，Rds漏极-源极电阻为24 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXFX120N25，技术为Si，商品名为PolarHT HiPerFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型开启延迟时间为30ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为20V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V。
IXFX120N30T是MOSFET 120V 300V，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IXFX120N20系列，该器件也可以用作GigaMOS商品名。此外，信道模式为增强型，该器件提供960 W Pd功耗，该器件具有87 ns的典型关断延迟时间，正向跨导最小值为70 S，第Vgs栅极-源极阈值电压为5 V，典型开启延迟时间为32 ns，上升时间为31 ns，Vds漏极-源极击穿电压为300 V，Qg栅极电荷为265 nC，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，下降时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.257500盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
