9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT9N80Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT9N80Q参考价格为1.954美元。IXYS IXFT9N80Q封装/规格：MOSFET N-CH 800V 9A TO268。您可以下载IXFT9N80Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT94N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET w/快速二极管，包括IXFT94N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双漏极配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1040 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为94A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为49ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为102nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXFT96N20P是MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200 V，提供单位重量功能，如0.158733 oz，典型开启延迟时间设计为28 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFT96N20，上升时间为30 ns，漏极电阻Rds为24 mOhm，Qg栅极电荷为145 nC，Pd功耗为600 W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为96 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为30 ns，配置为单信道，信道模式为增强型。
IXFT94N30T是MOSFET沟槽HiperFET功率MOSFET，包括94 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-268-2等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及36 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXFT94N30系列。此外，该技术为Si，该器件以HiPerFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.229281盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300 V。
