9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT60N25Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT60N25Q参考价格为2.29美元。IXYS IXFT60N25Q封装/规格：MOSFET N-CH 250V 60A TO268。您可以下载IXFT60N25Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT58N20是MOSFET 58安培200V 0.08W Rds，包括IXFT58N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-电源电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IXFT52N50P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Polar2 HiPerFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFT52N50，器件提供120 mOhms Rds漏极源极电阻，器件具有960 W的Pd功耗，封装为管式，封装外壳为TO-268-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为52A，并且配置为单一。
IXFT58N20Q是由IXYS制造的MOSFET N-CH 200V 58A TO-268。IXFT58N20Q可在TO-268-3、D³Pak（2引线+接线片）、TO-268AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 58A TO-268、N沟道200V 58B（Tc）300W（Tc）表面安装TO-268和Trans MOSFET N-CH200V 58C 3-Pin（2+Tab）TO-268。
