9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT40N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT40N50Q参考价格为1.032美元。IXYS IXFT40N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 40A TO268。您可以下载IXFT40N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT36N60P是MOSFET 600V 36A，包括IXFT36N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为650 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为36A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型导通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为102nC，正向跨导Min为25S，并且信道模式是增强。
IXFT40N30Q是MOSFET 300V 40A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在300 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT40N30系列，上升时间为35ns，Rds漏极源极电阻为80mOhm，Pd功耗为300W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为40 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为12 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFT400N075T2是MOSFET TrenchT2 HiperFET功率MOSFET，包括400 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，封装盒如数据表注释所示，用于to-268-2，提供管、Rds漏极源电阻等封装特性，设计为2.3 mOhms，以及IXFT400NO75系列，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为HiPerFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.229281盎司，Vds漏极-源极击穿电压为75 V。
