9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT30N60Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT30N60Q参考价格为2.05美元。IXYS IXFT30N60Q封装/规格：MOSFET N-CH 600V 30A TO268。您可以下载IXFT30N60Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT30N60P是MOSFET 600V 30A，包括IXFT30N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为29ns，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
IXFT30N50Q是MOSFET 30安培500V 0.16 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXFT30N50系列，器件的上升时间为42 ns，漏极电阻Rds为160 mOhms，Pd功耗为360 W，封装为管，封装外壳为TO-268-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为20 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXFT30N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A，包括单一配置，它们设计为以30A Id连续漏电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装外壳设计为在to-268-2中工作，该器件也可以用作690W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为62 nC，器件提供200 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有250 ns的上升时间，系列为IXFT30N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.229281 oz，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
