9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT28N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT28N50Q参考价格$2.412。IXYS IXFT28N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 28A TO268。您可以下载IXFT28N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT24N90P是MOSFET PolarHV HiPerFET 500V-1.2Kv Red Rds，包括IXFT24N90系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为660 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为420mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型导通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为130nC，并且前向跨导Min为16S，并且信道模式为增强。
IXFT26N60P是MOSFET 600V 26A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT26N60系列，上升时间为27纳秒，漏极电阻Rds为270毫欧，Pd功耗为460瓦，封装为管，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为26 A，正向跨导最小值为26 S，下降时间为21 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFT26N50Q是MOSFET N-CH 500V 26A TO-268，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16ns，提供Id连续漏极电流功能，如26A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为200 mOhms，上升时间为30 ns，系列为IXFT26N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFT26N60Q是MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFT26N80系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有80ns的典型关断延迟时间，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Pd功耗为360W，上升时间为32ns，典型接通延迟时间为30ns，Id连续漏极电流为26A，Rds漏极源极电阻为250mOhm，Vgs栅源电压为20V，下降时间为16ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.158733盎司，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
