9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT23N60Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT23N60Q参考价格为8.536美元。IXYS IXFT23N60Q封装/规格：MOSFET N-CH 600V 23A TO268。您可以下载IXFT23N60Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT20N80P是MOSFET 20安培800V 0.52 Rds，包括IXFT20N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为24纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为86nC，正向跨导Min为14S，并且信道模式是增强。
IXFT20N60Q是MOSFET 20安培600V 0.35 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT20N60系列，上升时间为20ns，Rds漏极源极电阻为350mOhm，Pd功耗为300W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT20N80Q是MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于14 ns，提供Id连续漏极电流功能，如20 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极-源极电阻Rds为420 mOhms，上升时间为27 ns，系列为IXFT20N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFT21N50Q是MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds，包括管封装，它们设计用于to-268-2封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供单级等配置功能，技术设计用于Si以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFT21N40系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有51ns的典型关断延迟时间，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V，Pd功耗为280W，上升时间为28ns，Rds漏极源极电阻为250m欧姆，典型接通延迟时间为25ns，Id连续漏电流为21A，下降时间为12ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.158733盎司，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
