9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT20N60Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT20N60Q参考价格为2.62美元。IXYS IXFT20N60Q封装/规格：MOSFET N-CH 600V 20A TO268。您可以下载IXFT20N60Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT20N100P是MOSFET 20安培1000V 1 Rds，包括IXFT20N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为660 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为37 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为570mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为126nC，正向跨导最小值为8S，并且信道模式是增强。
IXFT18N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如37纳秒，典型的关闭延迟时间设计为40纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT18N100系列，上升时间为32纳秒，漏极源极电阻Rds为660毫欧，Qg栅极电荷为90 nC，Pd功耗为830 W，封装为Tube，封装外壳为TO-268-2，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为18 A，正向跨导最小值为16 S，下降时间为13 ns，配置为单一。
IXFT18N90P是MOSFET PolarHV HiPerFET 500V-1.2Kv红色Rds，包括单一配置，它们设计为在18A Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-268-2包装箱。此外，封装为Tube，器件提供540 W Pd功耗，器件具有600 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为IXFT18N90，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.158733 oz，Vds漏极源极击穿电压为900 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
