9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT15N100Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT15N100Q参考价格为5.66美元。IXYS IXFT15N100Q封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 15A TO268。您可以下载IXFT15N100Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT15N100是MOSFET 15安培1000V 0.7 Rds，包括IXFT15N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-电源电阻为700mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为27ns，沟道模式为增强。
IXFT150N20T是MOSFET沟槽HiPerFET功率MOSFET，包括200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.229281盎司单位重量下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供HiPerFET等商品名功能，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作15毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用TO-268-2包装盒，装置具有安装式通孔，Id连续漏电流为150 a。
IXFT150N17T2是MOSFET，包括Si技术，它们设计用于Trench2 HiperFET商标。
