9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR90N20Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR90N20Q参考价格为21.076美元。IXYS IXFR90N20Q封装/规格：MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247。您可以下载IXFR90N20Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR80N50P是MOSFET 500V 80A，包括IXFR80N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.186952盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为72mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为70S，沟道模式为增强。
IXFR80N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFR80N50，器件的上升时间为250纳秒，器件的漏极-源极电阻为72毫欧，Qg栅极电荷为200 nC，Pd功耗为570 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为50 a，并且配置是单一的。
IXFR90N20是MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds，包括90 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计用于25 mOhms，以及IXFR90N2 0系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.056438盎司，器件具有200V的Vds漏极-源极击穿电压。
