9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR50N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR50N50参考价格为5.476美元。IXYS IXFR50N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247。您可以下载IXFR50N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR48N60P是MOSFET 600V 48A，包括IXFR48N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.186952盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为32A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为53S，沟道模式为增强。
IXFR4N100Q是MOSFET 3.5安培1000V 3 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR4N100系列，上升时间为15ns，漏极电阻Rds为3欧姆，Pd功耗为80W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.5A，下降时间为18ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR48N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A，包括单一配置，它们设计用于32 a Id连续漏电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1个通道，封装盒设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作500W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为140 nC，器件的漏极-源极电阻为154 mOhms Rds，器件的上升时间为300 ns，系列为IXFR48N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
