9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR26N60Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR26N60Q参考价格为5.856美元。IXYS IXFR26N60Q封装/规格：MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247。您可以下载IXFR26N60Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR26N120P是MOSFET 32安培1200V 0.46 Rds，包括IXFR26N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为320 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为58 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为56ns，Qg栅极电荷为225nC，正向跨导最小值为13S，并且信道模式是增强。
IXFR26N50是MOSFET 24安培500V 0.2 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR26N50系列，上升时间为33ns，漏极电阻Rds为200mOhms，Pd功耗为250W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为26 A，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR26N50Q是MOSFET 24 Amps 500V 0.2 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如24 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为250 W，漏极-源极电阻Rds为200 mOhms，上升时间为30 ns，系列为IXFR26N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
