9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR26N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR26N50Q参考价格为4.878美元。IXYS IXFR26N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247。您可以下载IXFR26N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFR26N50Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFR26N100P是MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds，包括IXFR26N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为290 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为430mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为197nC，正向跨导Min为13S，并且信道模式是增强。
IXFR26N120P是MOSFET 32安培1200V 0.46 Rds，包括6.5 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1200 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为56 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFR26N120，上升时间为55ns，漏极源极电阻Rds为500mOhm，Qg栅极电荷为225nC，Pd功耗为320W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为15 A，正向跨导最小值为13 S，下降时间为58 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR26N50是MOSFET 24安培500V 0.2 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于30 ns，提供Id连续漏极电流功能，如26 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为250 W，漏极-源极电阻Rds为200 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXFR26N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为16ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
