9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR15N80Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR15N80Q参考价格为2.494美元。IXYS IXFR15N80Q封装/规格：MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247。您可以下载IXFR15N80Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFR14N100Q2是MOSFET 14安培1000V，包括IXFR14N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为200 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为9.5A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IXFR15N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFR15N100，器件的上升时间为250 ns，器件的漏极-源极电阻为1.2欧姆，Qg栅极电荷为64 nC，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为10 a，并且配置是单一的。
IXFR15N100P是MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds，包括15 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计用于1欧姆，以及IXFR15N 100系列，该器件也可以用作Si技术。此外，单位重量为0.056438盎司，该器件提供1000 V Vds漏极-源极击穿电压。
