9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFV12N120P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFV12N120P价格参考1.444美元。IXYS IXFV12N120P封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220。您可以下载IXFV12N120P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT94N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET w/快速二极管，包括IXFT94N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双漏极配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1040 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为94A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为49ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为102nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXFT96N20P是MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200 V，提供单位重量功能，如0.158733 oz，典型开启延迟时间设计为28 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFT96N20，上升时间为30 ns，漏极电阻Rds为24 mOhm，Qg栅极电荷为145 nC，Pd功耗为600 W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为96 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为30 ns，配置为单信道，信道模式为增强型。
IXFT9N80Q是MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于13 ns，提供Id连续漏极电流特性，如9 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.1欧姆，上升时间为20 ns，系列为IXFT9N80，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFT94N30T是MOSFET沟槽HiperFET功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXFT94N40系列，该器件也可以用作HiperFET商品名。此外，Id连续漏极电流为94 A，器件提供36 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有300 V Vds漏极源极击穿电压，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司。
