9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR30N110P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR30N110P参考价格$4.002。IXYS IXFR30N110P封装/规格：MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247。您可以下载IXFR30N110P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR26N50是MOSFET 24安培500V 0.2 Rds，包括IXFR26N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-电源电阻为200mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强。
IXFR26N50Q是MOSFET 24安培500V 0.2 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR26N50系列，上升时间为30 ns，漏极电阻Rds为200 mOhms，Pd功耗为250 W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR26N60Q是MOSFET 23安培600V 0.25 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供Id连续漏极电流特性，如23 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为310 W，漏极-源极电阻Rds为250 mOhms，上升时间为32 ns，系列为IXFR26N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFR27N80Q是MOSFET 27 Amps 800V 0.35W Rds，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFR27N60系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供800V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有500W的Pd功耗，典型关断延迟时间为50ns，Rds导通漏极-电源电阻为300mOhms，上升时间为28ns，Id连续漏极电流为27A，Vgs栅极-源极电压为20V，典型的开启延迟时间为20ns，下降时间为13ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
