9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN36N110P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN36N110P参考价格$1.814。IXYS IXFN36N110P封装/规格：MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B。您可以下载IXFN36N110P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN360N10T是MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为机箱安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商器件封装的SOT-227B，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为830W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为36000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为360A，最大Id Vgs上的Rds为2.6mOhm@180A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为505nC@10V，Pd功耗为830 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为160 ns，上升时间为100ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为29A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为47ns，Qg栅极电荷为145nC，正向跨导Min为180S，信道模式为增强。
IXFN360N15T2是MOSFET N-CH 150V 310A SOT227，包括5V@8mA Vgs th Max Id，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HiPerFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-227B，该设备采用GigaMOS？系列，该器件具有170 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为4 mOhm@60A，10V，Rds On漏极源极电阻为4 mOhm，最大功率为1070W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，miniBLOC，工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为底盘安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，输入电容Cis-Vds为47500pF@25V，Id连续漏极电流为310 A，栅极电荷Qg Vgs为715nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为265 ns，漏极-源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id 25°C为310A。
IXFN36N100是MOSFET 1KV 36A，包括增强通道模式，它们设计用于单双源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于30 ns，提供正向跨导最小特性，如40 S，Id连续漏电流设计用于36 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有SOT-227-4封装盒，封装为管，Pd功耗为700 W，漏极电阻Rds为240 mOhms，上升时间为55 ns，系列为IXFN36N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为41ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFN35N50，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN35N50在模块包中提供，是模块的一部分。
