9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN30N110P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN30N110P参考价格为12.374美元。IXYS IXFN30N110P封装/规格：MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B。您可以下载IXFN30N110P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFN30N110P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFN280N085是MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为SOT-227B，配置为单双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为700W，晶体管类型为1个N通道，漏极至源极电压Vdss为85V，输入电容Cis-Vds为19000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为280A，最大Id Vgs的Rds为4.4 mOhm@100A，10V，Vgs最大Id为4V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为580nC@10V，Pd功耗为700 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为95ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为280A，Vds漏极-源极击穿电压为85V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为200ns，典型导通延迟时间为140ns，沟道模式为增强型。
IXFN300N10P是MOSFET极性功率MOSFET HiPerFET，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型的开启延迟时间设计为36 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFN300N10，上升时间为35ns，漏极源极电阻Rds为5.5mOhm，Qg栅极电荷为279 nC，Pd功耗为1.07kW，封装为Tube，封装外壳为SOT-227-4，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为295 A，正向跨导最小值为55 S，下降时间为25 ns，信道模式为增强型。
IXFN280N07是MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单双源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于50ns，提供Id连续漏电流功能，如280A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-227-4封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为600 W，漏极-源极电阻Rds为5 mOhms，上升时间为90 ns，系列为IXFN280N07，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为40ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFN29N90，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN29N90在模块包中提供，是模块的一部分。
