9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN150N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN150N15参考价格$3.378。IXYS IXFN150N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B。您可以下载IXFN150N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN140N30P是MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds，包括IXFN140N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为700 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为115A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-电源电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
IXFN150N10是MOSFET 150安培100V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXFN150N10系列，器件的上升时间为60 ns，漏极电阻Rds为12 mOhms，Pd功耗为520 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为150 A，下降时间为60 ns，配置为单双源，通道模式为增强。
IXFN14N60，带有IXYS制造的电路图。IXFN14N60在模块包中提供，是模块的一部分。
