9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX55N50F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX55N50F参考价格为7.214美元。IXYS IXFX55N50F封装/规格：MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3。您可以下载IXFX55N50F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX520N075T2是MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A，包括IXFX520NO75系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于TRENCHT2 GigaMOS HIPERFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，Pd功耗为1.25 kW，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为520 A，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，Vgs栅-源极阈值电压为5 V，Rds漏极-源极电阻为2.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为48ns，Qg栅极电荷为545nC，正向跨导最小值为65S，沟道模式为增强。
IXFX55N50是MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.257500盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX55N50系列，上升时间为60 ns，漏极电阻Rds为80 mOhms，Pd功耗为560 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为55 A，正向跨导最小值为45 S，下降时间为45 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFX52N60Q2是MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247，包括增强信道模式，它们设计用于单配置操作，下降时间显示在数据表注释中，用于8.5 ns，提供Id连续漏极电流功能，如52 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为735 W，漏极电阻Rds为115 mOhms，上升时间为13 ns，系列为IXFX52N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为23ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
