9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX15N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX15N100参考价格为2.12美元。IXYS IXFX15N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3。您可以下载IXFX15N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX140N30P是MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247，包括IXFX140N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.04 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为185nC，正向跨导最小值为50S，并且信道模式是增强。
IXFX150N15是MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX150N15系列，上升时间为60纳秒，漏极源极电阻Rds为12.5毫欧，Pd功耗为560瓦，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为150 A，下降时间为45 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX14N100是MOSFET 14安培1000V 0.75 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于30 ns，提供Id连续漏极电流功能，如14 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极电阻Rds为750 mOhms，上升时间为30 ns，系列为IXFX14N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为27ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
