9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH240N15X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH240N15X3参考价格19.91600美元。IXYS IXFH240N15X3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 240A TO247。您可以下载IXFH240N15X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH23N60Q是MOSFET 23安培600V 0.32 Rds，包括IXFH23N30系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为400 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为20纳秒，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为23A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为320mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
IXFH23N80Q是MOSFET 23安培800V 0.40 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为74 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH23N80系列，上升时间为27ns，漏极电阻Rds为420mOhms，Pd功耗为500W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为23 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH230N10T是MOSFET 230Amps 100V，包括230 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表说明中显示了用于to-247-3的封装盒，该封装盒提供了管、漏极电阻等封装特性，设计为工作在4.7 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.056438盎司，器件具有100 V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXFH230N085T，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFH230N085T采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
