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IXFH170N10P是MOSFET N-CH 100V 170A TO-247，包括IXFH170N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为714W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为170A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为198nC，正向跨导最小值为45S，并且信道模式是增强。
IXFH18N60P是MOSFET N-CH 600V 18A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如21 ns，典型的关闭延迟时间设计为62 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH18N60系列，上升时间为22 ns，漏极电阻Rds为400 mOhms，Pd功耗为360 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为18 A，正向跨导最小值为16 S，下降时间为22 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH17N80Q是MOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16ns，提供Id连续漏极电流特性，如17A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，漏极-源极电阻Rds为600 mOhms，上升时间为27 ns，系列为IXFH17N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为18ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH18N100Q3是MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247，包括管封装，它们设计为与TO-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFH18N200系列。此外，商品名为HyperFET，该器件提供90nC Qg栅极电荷，该器件具有830W的Pd功耗，Rds导通漏极-源极电阻为660mOhms，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为37ns，上升时间为33ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为18A，正向跨导最小值为16S，下降时间为13ns，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438oz，其最大工作温度范围为+150C。
